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            UnitedSiC宣布ADI的战略投资合作

            关键词:SiC器件 碳化硅技术 UnitedSiCADI

            时间:2019-03-21 11:15:45      来源:UnitedSiC

            碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC今天宣布达成与ADI公司(Analog Devices)的战略投资和长期供应协议,具体条款尚未公布。

            美国新泽西州普林斯顿,马萨诸塞州诺伍德市:碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC今天宣布达成与ADI公司(Analog Devices)的战略投资和长期供应协议,具体条款尚未公布。

            UnitedSiC总裁兼首席执行官Chris Dries介绍说:“从我们与ADI 电源团队的第一次会面开始,他们马上意识到了我们SiC技术的价值以及SiC器件在其电源平台中扩展和使用的便利性。这是一个非常好的时机,可以让像ADI这样的高品质领导厂商成为我们公司的股东。”

            两年多来,UnitedSiC和ADI一直在合作开发基于SiC的产品和设备。随着宽带隙功率器件成为更加主流的技术,尤其是SiC技术的发展,使其更具有成本效益,这些器件的导入将进一步增强ADI的模拟电源产品组合。

            ADI电源产品高级副总裁Steve Pietkiewicz表示:“在过去的几年里,我们一直在积极关注碳化硅技术和器件的发展。我们发现UnitedSiC的FET技术非常适合ADI的高性能电源平台以及我们在其他高电压市场的目标应用。”

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